我院张万里博士受邀在全国电介质物理、材料与应用学术会议暨全国电子元件与材料学术大会做报告

2025年4月18-21日，第二十届全国电介质物理、材料与应用学术会议暨第二十二届全国电子元件与材料学术大会在成都举行。我院张万里博士受邀在分会场作题为“PbZrO3外延薄膜中相共存诱导的巨大介电可调性与机电响应研究”的学术报告。

该研究成果系张万里博士在清华大学李千教授、李敬锋教授团队访学期间合作完成，聚焦反铁电材料在储能器件与类脑计算领域的应用瓶颈。研究团队创新制备出正交反铁电相与类四方相共存的PZO薄膜，实现突破性性能指标：介电可调性达90.1%，机电应变超0.66%。通过高分辨透射电镜分析，首次观测到“对角线偶极子↗↗↘↘”的特殊排列模式，结合第一性分子动力学模拟，揭示了该中间相结构在反铁电-铁电相变中的关键作用。这些发现不仅深化了我们对反铁电材料中反铁电-铁电相变机制的理解，还为基于PZO的纳米可调谐器件和纳米机电系统的优化与设计提供了新的思路。

撰稿：张万里

一审、一校：秦  林

二审、二校：谭  勇

三审、三校：谢正发